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深圳市北东科技有限公司
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维安/WAYON北东代理WMZ26N65C4高压MOS管
[2022/7/18 9:32:00]
型号:WMZ26N65C4 封装:DFN8*8 描述: Wayon Super Junction MOSFET 650V 1.Part No.:WM...
广东
深圳市北东科技有限公司
英诺赛科 北东代理 INN650D02  650V氮化镓功率
[2022/7/18 9:32:00]
英诺赛科- INN650D02 封装:DFN8*8 深圳市北东科技有限公司一家专业国际性元器件代理及分销公司,代理经销的二极管、三极管、MOS管、单片机...
广东
深圳市北东科技有限公司
维安/WAYON北东代理WMB048NV6LG2n沟道增强模式功率
[2022/7/18 9:32:00]
维安/WAYON-WMQ048NV6LG2 封装:PDFN3*3-8L 描述 WMB048NV6LG2采用Wayon的第二代功率沟槽MOSFET 专...
广东
深圳市北东科技有限公司
维安/WAYON北东代理WMB048NV6LG2n沟道增强模式功率
[2022/7/18 9:32:00]
维安/WAYON-WMQ048NV6LG2 封装:PDFN3*3-8L 描述 WMB048NV6LG2采用Wayon的第二代功率沟槽MOSFET 专...
广东
深圳市北东科技有限公司
维安/WAYON 北东代理 WMM053NV8HGS  85
[2022/7/18 9:32:00]
维安/WAYON-WMM053NV8HGS 封装:TO-263 描述   WMM053NV8HGS采用Wayon先进的功率沟槽MO...
广东
深圳市北东科技有限公司
维安/WAYON 北东代理WMM037N08HG2 80V
[2022/7/18 9:32:00]
维安/WAYON WMM037N08HG2 描述:   WMM037N08HG2采用Wayon的第二代功率沟槽MOSFET 专门为...
广东
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Vanguard/威兆 北东代理VS40200ATD n沟道
[2022/7/18 9:32:00]
Vanguard/威兆-VS40200ATD 封装:TO-263 描述 N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载...
广东
深圳市北东科技有限公司
Vanguard/威兆 北东代理 VST009N06MS-G 
[2022/7/18 9:32:00]
Vanguard/威兆-VST009N06MS-G 封装:TO-220AB 描述 N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的...
广东
深圳市北东科技有限公司
Vanguard/威兆 北东代理 VSP003N08HS-G 
[2022/7/18 9:32:00]
Vanguard/威兆-VSP003N08HG 封装:PDFN5060X 描述 N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的导...
广东
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Vanguard/威兆 北东代理 VSP008N10MSC高性能同步整
[2022/7/18 9:32:00]
Vanguard/威兆-VSP008N10MSC 封装:PDFN5x6 描述: N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的导...
广东
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